「廣帶隙」是指半導體材料中能帶結構的特性，尤其是其導帶和價帶之間的能量差距（帶隙）相對較大。這種材料在電子和光電應用中具有特殊的性能，通常用於高能效的光電元件、激光器和太陽能電池等。廣帶隙材料的例子包括氮化鎵（GaN）和氮化鋁（AlN）。這些材料的廣帶隙特性使其能夠在高溫、高功率和高頻率的環境下運作。
廣帶隙材料的特性使其在電子和光電設備中具有優越的性能，特別是在高溫和高功率的應用中。這些材料能夠在更高的能量水平下運作，並且通常具有更快的開關速度和更高的效率。廣帶隙材料的例子包括氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC），它們在現代電子技術中越來越受到重視。
例句 1：
氮化鎵是一種廣帶隙材料，廣泛應用於LED和高頻率放大器。
Gallium nitride is a wide bandgap material widely used in LEDs and high-frequency amplifiers.
例句 2：
廣帶隙技術在未來的電力電子中將扮演重要角色。
Wide bandgap technology will play a crucial role in future power electronics.
例句 3：
這種廣帶隙材料的優勢在於其能夠在極端條件下運作。
The advantage of this wide bandgap material is its ability to operate under extreme conditions.
在半導體物理中，能帶隙的大小直接影響材料的電導性和光學性能。廣能帶隙材料通常具有較低的熱導率和較高的電擊穿電壓，使其成為高效能電力設備的理想選擇。這些材料通常用於高功率激光器和高效能太陽能電池中。
例句 1：
廣能帶隙的半導體通常用於高溫應用。
Wide energy gap semiconductors are often used in high-temperature applications.
例句 2：
這種材料的廣能帶隙使其在高能量環境下穩定運作。
The wide energy gap of this material allows it to operate stably in high-energy environments.
例句 3：
在許多新興技術中，廣能帶隙材料正受到越來越多的重視。
Wide energy gap materials are gaining more attention in many emerging technologies.
這類半導體的特性使其在高功率和高頻率的應用中表現優異，並且能夠抵抗高溫和高電壓。廣帶隙半導體在可再生能源技術、電動車和無線通信等領域有著重要的應用潛力。
例句 1：
廣帶隙半導體在電動車的充電系統中發揮關鍵作用。
Wide band gap semiconductors play a key role in the charging systems of electric vehicles.
例句 2：
這種廣帶隙半導體的使用可以提高設備的能效。
The use of this wide band gap semiconductor can enhance the energy efficiency of devices.
例句 3：
隨著技術的進步，廣帶隙半導體的應用範圍也在不斷擴大。
With advancements in technology, the application range of wide band gap semiconductors is continuously expanding.